[发明专利]制造掩模的方法在审
| 申请号： | 201811019646.9 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109613798A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | E·加拉赫;R·格罗恩海德;J·多伊斯;I·莫池 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F1/54;G03F1/76 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;江磊 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造用于光刻工艺的掩模结构的方法，该方法包括：‑提供在其一侧上覆盖有吸收层的基材，‑在吸收层上方提供包括至少一个开口的图案化层，‑在至少一个开口中形成至少一个辅助掩模特征；其中，至少一个辅助掩模特征通过进行定向自组装(DSA)图案化工艺形成，该工艺包括诱导设置在至少一个开口中的BCP材料相分离为第一部分和第二部分，所述第一部分是至少一个辅助掩模特征并且相对于第二部分周期性分布。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助掩模 开口 吸收层 图案化工艺 周期性分布 光刻工艺 图案化层 掩模结构 相分离 自组装 基材 掩模 制造 诱导 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种制造用于光刻工艺的掩模结构的方法，所述方法包括：‑提供在其一侧上覆盖有吸收层(20)的基材(10)，‑在吸收层(20)上方提供包括至少一个开口(80)的图案化层(30)，‑在至少一个开口(80)中形成至少一个辅助掩模特征(41)；其中，所述至少一个辅助掩模特征(41)通过进行定向自组装(DSA)图案化工艺形成，该工艺包括诱导设置在所述至少一个开口(80)中的BCP材料相分离为第一部分(41)和第二部分(42)，所述第一部分(41)是至少一个辅助掩模特征并且相对于第二部分(42)周期性分布。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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