[发明专利]半导体器件结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件结构及其制作方法，结构包括：衬底；P型半导体沟道及N型半导体沟道，悬空于衬底上；栅介质层，包围P型半导体沟道及N型半导体沟道；栅电极层，包围栅介质层；P型源区及P型漏区，连接于P型半导体沟道的两端；N型源区及N型漏区，连接于N型半导体沟道的两端；其中，P型半导体沟道的P型离子掺杂浓度自P型半导体沟道的表面朝中心逐渐减小，N型半导体沟道的N型离子掺杂浓度自N型半导体沟道的表面朝中心逐渐减小，P型半导体沟道的截面宽度大于N型半导体沟道的截面宽度。本发明可以在单位面积下实现器件的多层堆叠，有效缩短沟道长度，降低短沟道效应，提高器件的负载能力及栅极对沟道的控制能力。

主权项

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：衬底；P型半导体沟道，悬空于所述衬底之上；N型半导体沟道，悬空于所述衬底之上；栅介质层，包围于所述P型半导体沟道及所述N型半导体沟道；栅电极层，包围于所述栅介质层；P型源区及P型漏区，分别连接于所述P型半导体沟道的两端；以及N型源区及N型漏区，分别连接于所述N型半导体沟道的两端；其中，所述P型半导体沟道的P型离子掺杂浓度自所述P型半导体沟道的表面朝中心逐渐减小，所述N型半导体沟道的N型离子掺杂浓度自所述N型半导体沟道的表面朝中心逐渐减小，所述P型半导体沟道的截面宽度大于所述N型半导体沟道的截面宽度。