[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201811024323.9 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109671713B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李英硕;李太熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括构造为在彼此垂直的第一方向和第二方向上延伸的顶表面；栅极堆叠结构，其设置在衬底上，在第一方向上彼此间隔开，并构造为在第二方向上延伸；第一区域，栅极堆叠结构的顶表面的水平在第一区域中是恒定的；第二区域，栅极堆叠结构的顶表面的水平在第二区域中是台阶状的，第二区域被构造为围绕第一区域的至少一部分；以及导电线，其在第二区域中设置于栅极堆叠结构之间并构造为在第二方向上以凹凸不平的形式延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括在彼此垂直的第一方向和第二方向上延伸的顶表面；栅极堆叠结构，其设置在所述衬底上，在所述第一方向上彼此间隔开，并且在所述第二方向上延伸；第一区域，所述栅极堆叠结构的顶表面的水平在所述第一区域中是恒定的；第二区域，所述栅极堆叠结构的顶表面的水平在所述第二区域中是台阶状的，所述第二区域围绕所述第一区域的至少一部分；以及导电线，其在所述第二区域中设置在所述栅极堆叠结构之间并且包括沿所述第一方向延伸的第一线形区段和沿所述第二方向延伸的第二线形区段。
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