[发明专利]一种太阳能电池的制备工艺在审
申请号: | 201811025440.7 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109285918A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 李跃恒;高艳飞;张强;杨爱静;宋标;王涛;韩秦军 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/268 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池的制备工艺,通过先对硅片进行激光划线形成正面电极图形再进行扩散掺杂及后续程序,由于提前在正面栅线印刷的区域进行激光划线,在进行扩散掺杂时,激光划线区域的表面积大于非激光划线区域的面积,激光划线区域的掺杂深度大于非激光划线区域,因此激光划线区域的掺杂量大于非激光划线区域的掺杂量,非激光划线区域的掺杂量相对低一些,因此经过丝网印刷正面栅线印刷后,栅线区域实现了重掺杂,非栅线区域实现了浅掺杂,可以同时获得更高的填充因子FF和短路电流Isc。 | ||
搜索关键词: | 激光划线 划线区域 非激光 掺杂量 太阳能电池 扩散掺杂 正面栅线 制备工艺 印刷 非栅线区域 短路电流 后续程序 丝网印刷 填充因子 栅线区域 正面电极 浅掺杂 重掺杂 硅片 掺杂 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1:对硅片进行激光划线,其中激光划线形成的图形与丝网印刷正电极图形相同,所述丝网印刷正电极图形包括正面栅线图形;S2:对激光划线后的硅片进行扩散掺杂,在正面栅线图形区域形成重掺杂,其它区域形成浅掺杂;S3:对扩散掺杂后的硅片依次进行刻蚀、镀膜;S4:进行丝网印刷,其中丝网印刷形成的正面栅线套印在激光划线形成的图形上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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