[发明专利]一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法有效
| 申请号： | 201811025612.0 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN108914080B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 许小红;秦秀芳;睢彩云 | 申请（专利权）人： | 山西师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 周淑歌 |
| 地址： | 041004*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于锰铋合金薄膜制备技术领域，具体涉及一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法。该制备方法是用高纯度工作气体同时轰击高纯度锰靶和铋靶，在基片上共沉积锰铋，将磁控溅射镀膜后的基片进行退火处理，得到具有室温交换偏置效应的锰铋合金薄膜。通过对磁控溅射镀膜和退火条件的选择，锰铋合金薄膜在室温下的交换偏置场最高可达1032Oe。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 具有 室温 交换 偏置 效应 合金 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：磁控溅射镀膜步骤：用高纯度工作气体同时轰击高纯度锰靶和铋靶，在基片上共沉积锰铋；退火步骤：将磁控溅射镀膜后的基片进行退火，得到锰铋合金薄膜。
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