[发明专利]一种光吸收性能好的单晶硅片在审

专利信息
申请号: 201811027068.3 申请日: 2018-09-04
公开(公告)号: CN109390419A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 陈春成;戚建静 申请(专利权)人: 江苏晶品新能源科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/054
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 代理人: 陈娟
地址: 225600 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种光吸收性能好的单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体上表面横向设置有主栅线,所述单晶硅片本体上表面沿所述主栅线垂直方向均匀分布有副栅线,所述单晶硅片本体包括P区和N区,所述P区、所述单晶硅本体以及所述N区从上至下依次排布,所述N区下方设置有金属导电层,所述N区上方设置有聚光层,所述P区两侧设置有上电极,所述N区两侧设置有下电极;本发明的光吸收性能好的单晶硅片,通过在表面设置聚光层,增加了聚光效果,同时在聚光层表面设置二氧化硅薄膜增加单晶硅片的光吸收性能。
搜索关键词: 单晶硅片 光吸收性能 聚光层 表面设置 两侧设置 上表面 二氧化硅薄膜 单晶硅本体 金属导电层 从上至下 横向设置 聚光效果 副栅线 下电极 主栅线 电极 排布 栅线
【主权项】:
1.一种光吸收性能好的单晶硅片,包括单晶硅片本体,其特征在于:所述单晶硅片本体上表面横向设置有主栅线,所述单晶硅片本体上表面沿所述主栅线垂直方向均匀分布有副栅线,所述单晶硅片本体包括P区和N区,所述P区、所述单晶硅本体以及所述N区从上至下依次排布,所述N区下方设置有金属导电层,所述N区上方设置有聚光层,所述P区两侧设置有上电极,所述N区两侧设置有下电极。
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