[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201811027517.4 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110875254B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，首先形成多个栅极结构在衬底中，每个所述栅极结构形成于漏区和源区之间以构成多个存取晶体管，且在同一所述有源区中相邻的所述存取晶体管共用所述漏区，进行两次离子注入以使所述漏区的底部更下沉于每个所述源区，当所述存取晶体管在使用时，电子从所述源区流向所述漏区，由于所述漏区的底部更下沉于每个所述源区，使所述漏区更容易接收电子，避免在两个所述存取晶体管之间形成杂散电流而相互干扰，提高了器件的性能及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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