[发明专利]晶圆级封装方法及封装结构有效
| 申请号： | 201811028264.2 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110875207B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 罗海龙;克里夫·德劳利 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种晶圆级封装方法及封装结构，封装方法包括：提供器件晶圆，包括多个第一芯片，第一芯片包括第一电极，且第一电极由器件晶圆露出，器件晶圆露出第一电极的面为晶圆正面；提供承载基板，在承载基板上临时键合多个第二芯片，包括第二电极，且第二电极由第二芯片露出，第二芯片露出第二电极的面为芯片正面，与芯片正面相背的面为芯片背面；使芯片背面和晶圆正面相对设置，采用熔融键合工艺使芯片背面键合于晶圆正面；对第二芯片和承载基板进行解键合处理；在第二芯片的侧壁上形成绝缘侧墙；形成保形覆盖芯片正面、绝缘侧墙和晶圆正面的导电层。本发明实现电性连接的工艺较为简单，且器件晶圆和第二芯片的键合强度较高，保证了电性连接效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
