[发明专利]面发光量子级联激光器有效
申请号: | 201811029974.7 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN109428262B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 斋藤真司;角野努;桥本玲;金子桂;甲斐康伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01S5/18 | 分类号: | H01S5/18;H01S5/34 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上,具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为,关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为,关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。 | ||
搜索关键词: | 发光 量子 级联 激光器 | ||
【主权项】:
1.一种面发光量子级联激光器,具备:活性层,层叠有多个量子阱层,能够通过次能带间跃迁而放出激光;以及第1半导体层,设置于上述活性层之上,具有第1面,上述第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域,上述第1凹部的光栅间隔是上述第2凹部的光栅间隔的m倍,其中,m为1以上的整数,上述外周区域包围上述内部区域,上述第1凹部的开口端的第1平面形状为,关于在上述第1平面形状的重心通过并且与上述第1二维光栅的至少1边平行的线非对称,上述第2凹部的开口端的第2平面形状为,关于在上述第2平面形状的重心通过并且与上述第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称,上述激光具有与上述第2凹部的上述光栅间隔对应的发光波长并且从上述内部区域在与上述活性层大致垂直的方向上被放出。
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