[发明专利]太阳能电池的制备方法及其制备装置在审
| 申请号： | 201811031887.5 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110880460A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 白安琪;王雪戈 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 刘诚 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种太阳能电池的制备方法及其制备装置。所述太阳能电池的制备方法包括以下步骤。第一步，提供一柔性衬底。第二步，在所述柔性衬底表面制备背电极层。第三步，在所述背电极层远离所述柔性衬底的表面制备吸收层。第四步，在所述吸收层远离所述背电极层的表面制备缓冲层。第五步，在所述缓冲层远离所述吸收层的表面制备高阻层。第六步，在所述高阻层远离所述缓冲层的表面制备窗口层，所述窗口层包括氧化铟锡层和设置于所述氧化铟锡层远离所述高阻层表面的掺铝氧化锌层。第七步，利用湿法刻蚀将所述掺铝氧化锌层刻蚀形成间隔设置的陷光结构。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制备 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
