[发明专利]半导体器件结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成有若干个有源区及隔离有源区的隔离结构，每一有源区包括第一接触区及第二接触区；基于不同材料之间不同的刻蚀选择比于有源区内形成若干个栅沟槽结构，以分离第一接触区与第二接触区，栅沟槽结构包括沟槽主体及微沟结构，栅沟槽结构的最大深度小于隔离结构的深度；于栅沟槽结构的内表面形成栅介质层，并于栅沟槽结构内填充栅电极层，以形成埋入式栅极字线结构。本发明通过不同材料间的刻蚀选择比的不同形成特殊的微沟结构，简化制备工艺，提高制备精度，在保持原有器件尺寸的基础上，使沟道面积得以增加，可进一步增加传输通道的宽度，提高场效应晶体管的器件性能。