[发明专利]一种基于P3HT的颗粒薄膜磁电阻材料及制备方法在审
| 申请号： | 201811035926.9 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109273594A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 程雅慧;郑灵程;刘晖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Co/P3HT颗粒薄膜磁电阻材料及其制备方法。该新型磁电阻材料在制备过程中采用旋涂与磁控溅射相结合的方法，该方法灵活简便，成本低，与现有的薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的颗粒薄膜具有较高的室温磁电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电阻材料 颗粒薄膜 制备 室温磁电阻 薄膜工艺 磁控溅射 制备过程 兼容性 旋涂 薄膜 灵活 | ||
【主权项】：
1.一种新型的Co/P3HT颗粒薄膜磁电阻材料，其特征在于在有机半导体P3HT薄膜基础上，通过磁控溅射的方法将Co纳米颗粒嵌入到有机层P3HT中，得到一种颗粒薄膜材料，该颗粒薄膜在室温下具有明显的磁电阻效应。
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