[发明专利]一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法

摘要

本发明涉及光纤制造技术领域，具体地说是一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法，其特征在于，在光学芯层外沉积出一层SiO2玻璃阻挡层，在缩棒工艺中通入含F气体与所述SiO2玻璃阻挡层反应形成含F玻璃阻挡层；本发明和现有技术相比，避免了空心预制棒在移动至融缩车床过程中环境水汽对光纤芯层的污染，可将PCVD工艺制造预制棒工艺过程中因移棒引入的OH‑污染进行有效的消除，进而降低光纤预制棒中的OH‑吸收损耗，极大的降低了PCVD工艺车间对环境湿度的依赖性，对制造低水峰甚至无水峰光纤提供了一种新的手段，还可防止光纤中心的Ge在融缩过程的过量蒸发，对光纤的模式带宽特性有一定的改善作用。

主权项

1.一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法，其特征在于，按照如下步骤进行：1)沉积工序准备；2)使用含F气体对石英衬底管进行刻蚀清洁；3)在石英衬底管内壁沉积出若干层过渡包层玻璃；4)在过渡包层玻璃外再沉积出若干层光学芯层玻璃；5)在光学芯层玻璃外沉积出SiO2玻璃阻挡层，制成空心预制棒；6)将空心预制棒转移至已完成熔缩预备条件的熔缩机床上，并对空心预制棒中心进行升温、大流量高纯O2吹扫净化；7)对空心预制棒进行缩棒工艺，并在工艺进行时通入含F气体；8)在高温状态下通入含F气体，对空心预制棒进行1～2趟刻蚀掉玻璃阻挡层；9)在高温状态下对空心预制棒中心部位通入高纯O2进行吹扫；10)将空心预制棒烧实成实心预制棒；11)对实心预制棒进行退火、拉棒操作。