[发明专利]一种负氢离子的生成装置及方法有效
| 申请号： | 201811036349.5 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109195298B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 刘巍;赵永涛 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 张海青 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种负氢离子的生成装置及方法。装置包括：一个扩散腔室，所述扩散腔室下部设置有出气口，所述扩散腔室上部设置有多个放电腔室，每个所述放电腔室上设置有进气口，每个所述放电腔室的外部缠绕有射频线圈，用于射频信号的输入。采用本发明的装置或方法，利用脉冲信号调节射频信号获得脉冲调制射频信号，使多个腔室脉冲放电的优势相互补充，在扩散腔室中获得连续稳定的高密度负氢离子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢离子 生成 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种负氢离子的生成装置，其特征在于，所述负氢离子的生成装置包括：一个扩散腔室，所述扩散腔室下部设置有出气口，所述扩散腔室上部设置有多个放电腔室，每个所述放电腔室上设置有进气口，每个所述放电腔室的外部缠绕有射频线圈，所述射频线圈的数量与所述放电腔室的数量相同，第i个所述射频线圈缠绕在第i个所述放电腔室的外部，i∈{2,3,...,n}，n为所述射频线圈和所述放电腔室的数量，n>1。
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