[发明专利]III-V族化合物晶体的制造方法和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811037236.7 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109537056A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;吉村政志;今出完;今西正幸;森数洋司;田畑晋;诸德寺匠 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B19/02;C30B25/02;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;沈娥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种容易将III‑V族化合物晶体从基板分离(剥离)的III‑V族化合物晶体的制造方法和半导体装置的制造方法。本发明的III‑V族化合物晶体的制造方法包括下述工序：晶种形成基板提供工序，提供在基板(11)上形成有III‑V族化合物晶种(12a)的晶种形成基板；晶种一部分分离工序，将III‑V族化合物晶种(12a)的与基板(11)接触的部分的一部分从基板(11)分离；以及晶体生长工序，在上述晶种一部分分离工序后，以III‑V族化合物晶种(12a)作为核而使III族元素与V族元素反应，从而生成III‑V族化合物晶体(12)并使其生长。 | ||
| 搜索关键词： | 晶种 基板 晶体的 制造 半导体装置 分离工序 晶体生长工序 基板分离 剥离 生长 | ||
【主权项】：
1.一种III‑V族化合物晶体的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：晶种形成基板提供工序，提供在基板上形成有III‑V族化合物晶种的晶种形成基板；晶种一部分分离工序，将所述III‑V族化合物晶种的与所述基板接触的部分的一部分从所述基板分离；以及晶体生长工序，在所述晶种一部分分离工序后，以所述III‑V族化合物晶种作为核而使III族元素与V族元素反应，从而生成III‑V族化合物晶体并使其生长。
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