[发明专利]一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811037336.X | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN109148365B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 贺芳;尹东升;顾仁权;李东升;徐胜;吴慧利;李士佩;何伟;黎午升;姚琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/027 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置,该制作方法包括:在衬底基板上的图像获取区域的透明区域内形成第一光刻胶图案;在衬底基板上形成阳极层,阳极层覆盖第一光刻胶图案;利用形成在阳极层上的第二光刻胶层图案的遮挡,在阳极层中形成位于图像获取区域的非透明显示区域的阳极以及形成位于透明区域的遮光部件;采用剥离工艺同时去除第一光刻胶图案、遮光部件和第二光刻胶图案。该方法可以将残留在图像获取区域的透明区域内的遮光部件去除,从而只在图像获取区域的非透明显示区域形成阳极,从而可以提高透明区域的透过率。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上的图像获取区域的透明区域内形成第一光刻胶图案;在所述衬底基板上形成阳极层,所述阳极层覆盖所述第一光刻胶图案;利用形成在所述阳极层上的第二光刻胶层图案的遮挡,在所述阳极层中形成位于所述图像获取区域的非透明显示区域的阳极以及形成位于所述透明区域的遮光部件;采用剥离工艺同时去除所述第一光刻胶图案、所述遮光部件和所述第二光刻胶图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811037336.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高分辨率矩阵屏的制作工艺
- 下一篇:阵列基板及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造