[发明专利]光电检测设备及其制造方法在审
| 申请号： | 201811037733.7 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109585594A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 河晟峰;金旲奎 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/115 | 分类号： | H01L31/115;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陈炜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种光电检测设备、光反应元件、X射线检测器以及光电检测器的基板装置的制造方法。所述光电检测设备包括在具有特定透光率的基板的第一表面上的薄膜晶体管阵列和在第一表面和薄膜晶体管阵列之间的光电二极管结构。光电二极管结构被实现为接收和处理通过基板的第二表面的电磁辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 光电检测设备 薄膜晶体管阵列 光电二极管结构 第一表面 基板 光电检测器 光反应元件 电磁辐射 第二表面 基板装置 透光率 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光电检测设备，包括：薄膜晶体管阵列，其位于具有特定透光率的基板的第一表面上；和光电二极管结构，其位于所述第一表面和所述薄膜晶体管阵列之间，所述光电二极管结构被实现为接收和处理通过所述基板的第二表面的电磁辐射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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