[发明专利]高电子移动率晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201811037757.2 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110880532B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 周钰杰;林信志;洪章响 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;周晓飞 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种高电子移动率晶体管及其形成方法，高电子移动率晶体管包括：缓冲层位于基板上；阻障层位于缓冲层上，通道区位于缓冲层中，邻近缓冲层与阻障层的界面；能带调整层位于阻障层上，由上而下包括第一能带调整层、第二能带调整层及第三能带调整层；钝化层位于阻障层上，邻接能带调整层；栅极电极位于能带调整层上，并与能带调整层电性连接；及源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧，穿过钝化层，设于阻障层上；第一能带调整层、第二能带调整层、及第三能带调整层分别包括N型掺杂、未掺杂及P型掺杂三五族半导体或二六族半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 移动 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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