[发明专利]具有类柱状晶的锆酸钆薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201811037999.1 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109023300B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;朱昌华;王多金;杨光;陈宏飞;高彦峰 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/448;C23C16/455;C23C16/48 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有类柱状晶的锆酸钆薄膜及其制备方法，所述锆酸钆薄膜的形貌为类柱状晶，所述锆酸钆薄膜中钆与锆原子比为（0.19～1.72）：1。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 柱状 锆酸钆 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锆酸钆薄膜，其特征在于，所述锆酸钆薄膜的形貌为类柱状晶，所述锆酸钆薄膜中钆与锆原子比为（0.19～1.72）：1。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
