[发明专利]空气隙形成方法有效
| 申请号： | 201811038068.3 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110880475B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 杨军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种空气隙形成方法，属于半导体技术领域。该方法包括：形成第一介电层内的多个相互隔离的金属线；在所述第一介电层上沉积第二介电层；在所述金属线之间的区域形成从所述第二介电层开口的沟槽，所述沟槽的底部位于所述第一介电层内，且所述沟槽与所述金属线之间被所述第一介电层的材料隔开；在所述第二介电层上沉积第三介电层，使所述第三介电层覆盖所述沟槽的开口，形成所述金属线之间的空气隙；其中，所述第三介电层在所述第二介电层上的沉积速率大于所述第三介电层在所述第一介电层上的沉积速率。本公开可以有效地形成半导体器件中的空气隙，降低金属线之间的寄生电容，且形成过程的工艺流程简单，适用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 空气 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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