[发明专利]半导体结构制造方法在审
| 申请号： | 201811038479.2 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109216442A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提出一种半导体结构制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层和势垒层；在所述势垒层上形成介质层；对所述势垒层上需要形成欧姆接触的区域进行离子注入；进行周期性快速热退火。本申请所提出的半导体结构制造方法可以有效地降低欧姆接触电阻，增加器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 势垒层 衬底 制造 欧姆接触电阻 快速热退火 欧姆接触 缓冲层 介质层 有效地 申请 离子 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层和势垒层；在所述势垒层上形成保护层；对所述势垒层上需要形成欧姆接触的区域进行离子注入；进行周期性快速热退火。
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