[发明专利]一种p型AlGaN半导体材料及其外延制备方法

摘要

本发明公开了一种p型AlGaN半导体材料及其外延制备方法，通过周期性地分别通断III族金属Al源和Ga源，形成由数个AlN单原子层和数个GaN单原子层周期性交替叠层构成的结构，形成AlGaN数字合金；在通Ga源的同时通入受主掺杂源，提高掺杂原子的并入效率；通过周期性地改变AlN和GaN周期叠层中AlN、GaN的厚度比例，调控AlGaN数字合金中的等效Al组分，形成能带调制、降低受主离化能。其有益效果该在于：所述p型AlGaN半导体材料采用AlGaN数字合金、受主原子调制掺杂、AlGaN等效Al组分周期性调制技术制备而成，该方法可有效提高Mg的掺杂效率并增大纵向电导，从而获得高质量的p型AlGaN半导体材料。

主权项

1.一种p型AlGaN半导体材料，包括p型AlGaN外延层，其特征在于，所述p型AlGaN外延层由若干个AlN和GaN周期性交替叠层组成，AlN和GaN周期性交替叠层形成具有等效Al组分的AlGaN层，并且AlGaN层的等效Al组分呈周期性变化，每个周期内可不分先后的包含以下两个部分：（1）由AlN和GaN周期性交替叠层构成的结构，其等效Al组分较低；（2）由AlN和GaN周期性交替叠层构成的结构，其等效Al组分较高；其中，GaN层为p型掺杂层。