[发明专利]一种基于硼纳米片的可饱和吸收体器件及应用有效
| 申请号： | 201811039555.1 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109361141B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 郭强兵;邱建荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;G02B5/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硼纳米片的可饱和吸收体器件及应用。硼纳米片均匀涂在反射镜或微纳光纤表面构成可饱和吸收体器件，反射镜为金镜或银镜，微纳光纤为拉锥光纤或D形光纤；或者分散在透明基质内形成复合物薄膜构成可饱和吸收体器件，透明基质为有机聚合物。本发明发现了一种全新的具有优异可饱和吸收特性的材料体系，为开发新型可饱和吸收体提供了新的选择，硼纳米片可大规模、廉价地使用溶液超声剥离法制备，本发明具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，相比于目前商业化的半导体可饱和吸收镜(SESAM)技术大大降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 饱和 吸收体 器件 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于硼纳米片的可饱和吸收体器件，其特征在于：硼纳米片均匀涂在反射镜或微纳光纤表面构成可饱和吸收体器件；或者分散在透明基质内形成复合物膜构成可饱和吸收体器件。
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