[发明专利]含有哑字线的三维一次编程存储器在审
| 申请号： | 201811039690.6 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN109102837A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 为了降低精确预编程的时间，本发明提出一种含有哑字线的三维一次编程存储器（3D‑OTP）。OTP存储阵列含有一条哑字线和至少一条哑位线。只有位于哑字线和哑位线交叉处的哑存储元被编程；其它所有哑存储元均未编程。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 三维一次编程存储器 哑位线 编程 存储 存储阵列 交叉处 预编程 | ||
【主权项】：
1.一种三维一次编程存储器，其特征在于含有：一含有晶体管的半导体衬底(0)；一堆叠在该半导体衬底(0)上方并含有多条数据字线(20a‑20z)和多条数据位线(30a‑30z)的OTP存储阵列(0A)；一条与该数据字线(20a‑20z)平行的哑字线(20D)；一条与该数据位线线(30a‑30z)平行的哑位线(31b)；一位于在该哑字线(20D)和该哑位线(31b)交叉处的哑存储元(1D1)，该哑存储元(1D1)已编程；位于所述数据字线(20a‑20z)和该哑位线(31b)交叉处的所有哑存储元(1a1‑1z1)均未编程；位于该哑字线(20D)和所述数据位线(30a‑30z)交叉处的所有哑存储元(1Da‑1Dz)均未编程。
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