[发明专利]一种半导体处理装置

摘要

本发明提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室。在第二腔室部相对于第一腔室部位于关闭位置且微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近第一腔室部的半导体晶圆的第一侧表面的外缘部分，第二腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近第二腔室部的半导体晶圆的第二侧表面的外缘部分，第一腔室部的内壁表面和第二腔室部的内壁表面之间形成有位于半导体晶圆外侧的外端面微处理空间。借助外端面微处理空间，本发明能够实现对半导体晶圆的外缘的处理。

主权项

1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，一片或多片叠放在一起的半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部具有面向所述微腔室的内壁表面，第二腔室部具有面向所述微腔室的内壁表面，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近所述第一腔室部的所述半导体晶圆的第一侧表面的外缘部分，第二腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的第二侧表面的外缘部分，第一腔室部的内壁表面和第二腔室部的内壁表面之间形成有位于所述半导体晶圆外侧的外端面微处理空间，该外端面微处理空间通过外端面处理通孔与外部相通，流体通过所述外端面处理通孔进入或流出所述外端面微处理空间。