[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811041595.X | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109585374A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 魏宇晨;詹钧杰;朱俊叡;赖人杰;林世和 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含在基底上方形成第一层。此方法包含在第一层上方形成停止层。此方法包含在停止层上方形成第二层。此方法包含在第二层上方进行第一平坦化工艺直到暴露出停止层。此方法包含进行蚀刻工艺以移除第二层、停止层和第一层的上部；以及在第一层上方进行第二平坦化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 第一层 停止层 半导体装置结构 平坦化 蚀刻工艺 基底 移除 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：在一基底上方形成一第一层；在该第一层上方形成一停止层；在该停止层上方形成一第二层；在该第二层上方进行一第一平坦化工艺直到暴露出该停止层；进行一蚀刻工艺以移除该第二层、该停止层和该第一层的上部；以及在该第一层上方进行一第二平坦化工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
