[发明专利]一种半导体结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成硬掩模层和鳍形结构的光刻图形；对硬掩模层和半导体衬底进行图形化，获得具有陡直侧壁形貌的鳍形结构；在鳍形结构的侧壁表面形成保护层；对鳍形结构下方的半导体衬底进行刻蚀，形成隔离结构凹槽；在隔离结构凹槽内填充介质层及进行平坦化；对介质层进行凹槽刻蚀，形成鳍形结构和具有倾斜侧壁的隔离结构。本发明可分别调节鳍形结构与隔离结构两者侧壁的物理形貌，改善工艺精度、均匀性和稳定性，有助于提升场效应管器件的电学性能及器件的可靠性。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硬掩模层；在所述硬掩模层上形成鳍形结构的光刻图形；利用所述光刻图形为掩模，对其下方的硬掩模层和半导体衬底进行图形化，获得硬掩模层图形及带有鳍形结构的半导体衬底；所述鳍形结构具有陡直的侧壁形貌；在所述鳍形结构的侧壁表面形成保护层；利用所述鳍形结构为掩模，对其下方的半导体衬底进行刻蚀，形成隔离结构凹槽；在所述隔离结构凹槽内填充介质层，直至将所述鳍形结构覆盖；对所述介质层进行平坦化，直至鳍形结构顶部的硬掩模层暴露；对所述介质层进行凹槽刻蚀，形成鳍形结构和具有倾斜侧壁的隔离结构。