[发明专利]一种采用废纸制备碳化硅的方法在审

专利信息
申请号: 201811044256.7 申请日: 2018-09-07
公开(公告)号: CN108892512A 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 王志江;兰晓琳 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/65;C04B35/622;C04B38/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 贾泽纯
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种采用废纸制备碳化硅的方法。本发明属于环保、能源、催化、吸波、生物传感、半导体材料领域,具体涉及一种采用废纸制备碳化硅的方法。本发明是要解决现有废纸利用率低、制备SiC材料成本高的问题。方法:一、纸浆回收;二、碳化处理;三、烧结,即得到由废纸制备的SiC。本发明主要用于纸张高效回收以及碳化硅生产。
搜索关键词: 制备 废纸 碳化硅 半导体材料领域 碳化硅生产 高效回收 生物传感 碳化处理 纸浆回收 烧结 吸波 催化 能源 环保
【主权项】:
1.一种采用废纸制备碳化硅的方法,其特征在于采用废纸制备碳化硅的方法具体是按以下步骤完成的:一、纸浆回收:将废纸依次进行分离、漂洗、过滤和干燥,回收废纸纤维素并制浆,得到废纸浆;二、碳化处理:将废纸浆在惰性气体保护下进行炭化处理,得到纤维素基碳骨架;三、烧结:将纤维素基碳骨架包裹在反应硅源内部,然后烧结,再冷却至室温,得到碳化硅。
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