[发明专利]半导体晶圆保护用粘合带在审
| 申请号： | 201811045398.5 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109468077A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木贵俊;龟井胜利;秋山淳 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/20 | 分类号： | C09J7/20;C09J7/38;C09J7/25;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在背面研磨工序中，不易在半导体晶圆上产生裂纹的半导体晶圆保护用粘合带。一种半导体晶圆保护用粘合带，其具有基材、及层叠在前述基材上的粘合剂层，23℃下的前述基材的厚度为10～150μm，利用热机械分析装置的压缩膨胀法、在厚度方向上施加载荷0.11N的状态下将上述粘合带从‑70℃加热至150℃时的、23～100℃下的前述粘合带的厚度相对于23℃下的前述粘合带的厚度的最大增加率为1.2％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 粘合带 半导体晶圆 基材 热机械分析装置 背面研磨 施加载荷 粘合剂层 最大增加 膨胀法 加热 压缩 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆保护用粘合带，其具有基材、及层叠在所述基材上的粘合剂层，23℃下的所述基材的厚度为10～150μm，利用热机械分析装置的压缩膨胀法、在厚度方向上施加载荷0.11N的状态下将所述粘合带从‑70℃加热至150℃时的、23～100℃下的所述粘合带的厚度相对于23℃下的所述粘合带的厚度的最大增加率为1.2％以下。
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