[发明专利]半导体器件的制备方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201811046271.5 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110890369A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;王珺 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件。制备方法包括：提供具有多个有源区的衬底，有源区包括源漏极区和位线接触区，有源区设置字线段和掩埋字线段的字线绝缘结构，位线接触区相对凹陷于源漏极区；在源漏极区上形成保护层，且保护层覆盖字线绝缘结构并具有在位线接触区上形成的接触通道，接触通道连通到位线接触区；在位线接触区上形成阻挡层，阻挡层覆盖接触通道的侧壁和底部；在保护层上及接触通道内形成覆盖阻挡层的位线材料层；图案化位线材料层，以在接触通道之上形成高于保护层的位线层，位线层还具有一体形成在接触通道内的位线接触部，阻挡层位于位线接触部和位线接触区之间。上述制备方法制备的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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