[发明专利]一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构有效
申请号: | 201811047914.8 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN109188858B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 包文中;郭晓娇;周鹏;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G03F1/76;C23C14/24;C23C14/04 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于半导体制造技术领域,具体为一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构。本发明的通孔掩膜版分体图形结构,以双面抛光的硅片为基底,包括正面图形和反面图形;正面图形包括从整体图形中分离的带有对准标记的高精度图形和带有对准标记的低精度图形,或者为分别带有对准标记多组不同精度的图形;反面图形,为涵括正面所有图形的方形,用于整体厚度减薄;通孔掩膜板在加工过程中,高精度图形和低精度图形先后使用,通过两者相同的对准标记进行位置对准,来完成整体图形的加工。本发明设计的高精度硅基掩膜版设计图形结构,具有机械强度高、重复使用性高、成本低、图形设计自由灵活等优势,能满足各领域对高精度通孔掩膜版的需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 精密 硅基通孔掩膜版 分体 图形 结构 | ||
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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