[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201811049497.0 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110707038B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;李甫哲;张翊菁;黄楷珞;林盈志;林刚毅 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包含基底、栅极结构、第一介电层、第二介电层、第一插塞与两金属导线。基底设置有浅沟槽隔离以在基底上定义出主动区，而栅极结构设置在基底上，覆盖主动区与浅沟槽隔离之间的交界。第一介电层设置在基底上，覆盖栅极结构，第一插塞则设置在第一介电层内，直接接触栅极结构的导电层与主动区。第二介电层，设置在第一介电层上，其中，第一插塞与栅极结构被第一介电层与第二介电层完全覆盖。两金属导线则设置在该第二介电层内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n基底，设置有浅沟槽隔离与主动区；/n栅极结构，设置在该基底上，覆盖该主动区与该浅沟槽隔离之间的交界；/n第一介电层，设置在该基底上，覆盖该栅极结构；/n第一插塞，设置在该第一介电层内，该第一插塞直接接触该栅极结构的一导电层与该主动区；/n第二介电层，设置在该第一介电层上，其中，该第一插塞与该栅极结构被该第一介电层与该第二介电层完全覆盖；以及/n两导线，设置在该第二介电层内。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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