[发明专利]多晶硅片的制备系统

摘要

本发明公开了一种多晶硅片的制备系统，涉及多晶硅片制备技术领域。所述系统在提纯和制备多晶硅锭的过程中，首先通过熔盐电解法制备硅‑铜合金，同时利用定向梯度凝固技术制备硅晶体，在制备过程中，随着电解的进行，粗二氧化硅不断的溶解，且多晶硅不断的长大，在制备整块硅多晶后，利用区域熔炼技术再次提纯多晶硅，排出铜及其他共沉积杂质元素，实现利用粗二氧化硅制备高纯多晶硅，通过该系统制备的多晶硅锭的纯度可达99.9999%，从而使得通过生长的多晶硅锭制备的多晶硅片的纯度较高，提高了通过制备的多晶硅片制备的太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1.一种多晶硅片的制备系统，其特征在于：包括多晶硅提纯及生长装置（27）、多晶硅锭切割装置（28）、硅片裁切装置（29）、硅片清洗装置（30）以及硅片烘干装置（31），所述多晶硅提纯及生长装置（27）用于生长多晶硅锭，所述生长装置与所述切割装置之间设置有第一传送装置（32），所述第一传送装置（32）用于将所述生长装置提纯并生长的多晶硅锭传输给所述切割装置，所述切割装置用于对所述多晶硅锭进行切割，制备成厚度符合要求的多晶硅片，所述切割装置与所述裁切装置之间设置有第二传送装置（33），所述第二传送装置（33）用于将所述切割装置切割后的多晶硅片传送至所述硅片裁切装置进行裁切，所述裁切装置用于对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状，所述裁切装置与所述清洗装置之间设置有第三传送装置（34），所述第三传送装置（34）用于将所述裁切装置裁切后的多晶硅片传送至所述清洗装置，所述清洗装置用于对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质，所述清洗装置与所述烘干装置之间设置有第四传送装置（35），所述第四传送装置用于将清洗后的硅片传送给所述烘干装置进行烘干处理，所述烘干装置上设置有硅片取出装置，所述硅片取出装置用于将烘干后的多晶硅片取出。