[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法在审
申请号: | 201811050984.9 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN109085736A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 徐一建;梁凤云;侯士权;王婷;倪凌云 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛异荣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法,光学邻近修正方法包括:提供初始光刻掩膜图形,初始光刻掩膜图形包括若干主图形;基于静电易发生判断规则,从若干主图形中获取主图形组,主图形组包括相邻的至少两个主图形;在主图形组中相邻的主图形之间设置辅助图形,辅助图形包括辅助主图形和位于辅助主图形两侧的辅助连接图形,辅助连接图形连接辅助主图形和主图形;对若干主图形和辅助图形进行OPC修正,使主图形形成主修正图形,使辅助图形形成辅助修正图形,辅助修正图形包括对应所述辅助主图形的辅助修正主图形和对应所述辅助连接图形的辅助修正连接图形。所述光学邻近修正方法避免相邻主修正图形的相对尖脚处发生图形缺角或桥接损毁的现象。 | ||
搜索关键词: | 主图形 光学邻近修正 辅助图形 修正 辅助连接 初始光刻掩膜 掩膜版 连接图形 判断规则 图形连接 静电 尖脚 桥接 缺角 损毁 制作 | ||
【主权项】:
1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:提供初始光刻掩膜图形,所述初始光刻掩膜图形包括若干主图形;基于静电易发生判断规则,从所述若干主图形中获取主图形组,所述主图形组包括相邻的至少两个主图形;在所述主图形组中相邻的主图形之间设置辅助图形,所述辅助图形包括辅助主图形和位于辅助主图形两侧的辅助连接图形,所述辅助连接图形连接辅助主图形和主图形;对若干主图形和辅助图形进行OPC修正,使主图形形成主修正图形,使辅助图形形成辅助修正图形,所述辅助修正图形包括对应所述辅助主图形的辅助修正主图形和对应所述辅助连接图形的辅助修正连接图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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