[发明专利]低粗糙度掺磷多晶硅薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201811051874.4 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109192656A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 许涛 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司微纳制造分公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低粗糙度掺磷多晶硅薄膜及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1、提供衬底和反应炉；S2、将所述衬底至于所述反应炉中，在沉积温度为550‑650℃，工艺炉压为150‑450mt的条件下采用LPCVD工艺生长P掺杂多晶硅薄膜，其中，反应剂气体包括SiH4和PH3；S3、对S2中得到的结构作退火处理，得到所述低粗糙度掺磷多晶硅薄膜。该低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法采用LPCVD，通过调整反应炉的沉积温度、工艺炉压和反应剂气体的气体流量配比来减少所制备得到多晶硅薄膜表面的鼓包数量，降低其粗糙度，并满足多晶硅应力要求。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 掺磷多晶硅 低粗糙度 薄膜 反应炉 反应剂气体 衬底 炉压 沉积 多晶硅薄膜表面 多晶硅薄膜 气体流量 退火处理 应力要求 粗糙度 多晶硅 鼓包 配比 生长 | ||
【主权项】：
1.一种低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供衬底和反应炉；S2、将所述衬底至于所述反应炉中，在沉积温度为550‑650℃，工艺炉压为150‑450mt的条件下采用LPCVD工艺生长P掺杂多晶硅薄膜，其中，反应剂气体包括SiH4和PH3；S3、对S2中得到的结构作退火处理，得到所述低粗糙度掺磷多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
