[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811052382.7 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109494225B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 山口直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B43/35;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件及其制造方法。形成存储器栅极电极和控制栅极电极以覆盖从半导体衬底的上表面突出的鳍。被存储器栅极电极和控制栅极电极覆盖的鳍的部分被作为存储器单元的源极区域和漏极区域的一部分的硅化物层夹住。该硅化物层形成为硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一突出单元，所述第一突出单元是半导体衬底的一部分，从所述半导体衬底的上表面突出，并沿着所述半导体衬底的主表面在第一方向上延伸；第一栅极电极，所述第一栅极电极在与所述第一方向正交的第二方向上延伸，并且被形成为通过第一栅极绝缘膜覆盖所述第一突出单元的第一部分的上表面和侧表面；以及第一硅化物层和第二硅化物层，所述第一硅化物层形成第一源极区域的一部分，所述第二硅化物层形成第一漏极区域的一部分，所述第一硅化物层和所述第二硅化物层以在所述第一方向上在其间夹有所述第一部分的方式而形成。
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