[发明专利]半导体器件、硬掩膜结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811053138.2 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110890273A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件、硬掩膜结构及硬掩膜结构的制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：在衬底上形成掩膜材料层，且掩膜材料层的厚度由掩膜材料层的中心向边缘逐渐减小或增大；在掩膜材料层远离衬底的表面形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光并显影，形成多个显影区，各显影区露出掩膜材料层；在显影区对掩膜材料层进行刻蚀，以形成掩膜图案；去除光刻胶层。本公开的硬掩膜结构的制造方法可提高关键尺寸的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 膜结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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