[发明专利]非晶硅的成膜方法有效
| 申请号： | 201811053728.5 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109285759B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非晶硅的成膜方法，包括步骤：步骤一、提供一半导体衬底，对半导体衬底表面进行预热；步骤二、将所需厚度的非晶硅层分成两层以上的非晶硅子层；步骤三、依次采用CVD沉积工艺形成各非晶硅子层且在各非晶硅子层之间插入等离子体预处理的步骤；各非晶硅子层都采用硅烷分解形成，在硅烷分解过程中会形成SiH键组成的稳定组态，通过控制非晶硅子层的厚度防止SiH键在非晶硅子层的体内积聚，结合非晶硅子层之后的等离子体预处理将非晶硅子层的SiH键的氢原子从表面释放，最后防止由各非晶硅子层叠加形成的非晶硅层产生汽泡状隆起及薄膜脱落缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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