[发明专利]半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器件可以包括在半导体衬底上的选择晶体管、覆盖选择晶体管的层间绝缘层、联接到选择晶体管的漏极区域并构造为穿透层间绝缘层的下接触插塞、以及联接到下接触插塞的磁隧道结图案。下接触插塞可以包括金属图案以及与金属图案的顶表面接触的盖金属图案。盖金属图案可以包括具有比金属图案的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度的顶表面。磁隧道结图案可以包括底电极和顶电极、在顶电极与底电极之间的下磁层和上磁层、以及在下磁层与上磁层之间的隧道势垒层。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：选择晶体管，在半导体衬底上；层间绝缘层，覆盖所述选择晶体管；下接触插塞，联接到所述选择晶体管的漏极区域并且构造为穿透所述层间绝缘层，所述下接触插塞包括金属图案和与所述金属图案的顶表面接触的盖金属图案，所述金属图案的所述顶表面具有第一表面粗糙度，所述盖金属图案包括顶表面，所述盖金属图案的所述顶表面具有第二表面粗糙度，所述第二表面粗糙度小于所述第一表面粗糙度；以及磁隧道结图案，联接到所述下接触插塞，所述磁隧道结图案包括底电极、顶电极、在所述顶电极与所述底电极之间的下磁层和上磁层、以及在所述下磁层与所述上磁层之间的隧道势垒层。