[发明专利]检查光刻掩模的方法和进行该方法的掩模度量设备

摘要

本发明涉及一种在掩模度量设备中检查极紫外(EUV)波长范围的光刻掩模的方法。在该方法中，选择掩模的至少一个结构化区域，确定在光刻生产运行中提供给掩模的极紫外(EUV)波长范围中的扫描仪光子数，并且确定进行测量的极紫外(EUV)波长范围中的度量光子数。接下来，基于所述扫描仪光子数和度量光子数，确立光子统计检查模式，以及用掩模度量设备产生至少一个结构化区域的至少一个空间像。

主权项

1.在掩模度量设备中检查用于极紫外(EUV)波长范围的光刻掩模的方法，其中所述方法包含以下步骤：a.选择所述掩模的至少一个结构化区域，b.确定在所述光刻生产运行中提供给所述掩模的所述极紫外(EUV)波长范围中的扫描仪光子数，c.确定进行所述测量的所述极紫外(EUV)波长范围中的度量光子数，d.基于来自步骤b)的所述扫描仪光子数和来自步骤c)的所述度量光子数确立光子统计检查模式，e.用所述掩模度量设备产生所述至少一个结构化区域的至少一个空间像。