[发明专利]接触孔填充方法及结构、集成电路芯片在审
| 申请号： | 201811056353.8 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110890318A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开是关于接触孔填充方法及结构、集成电路芯片，采用铝作为填充材料，在沉积了阻挡层的衬底上沉积铝，填充接触孔时首先沉积晶种层，再填充填充层，实现了对接触孔的填充；在填充过程中，首先在第一预设温度下进行预热，并在第一功率下沉积第一填充层，在第二功率下沉积第二填充层，通过铝的回流特性，减少了在填充深宽比大的接触孔时，填充层内部出现孔洞的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 填充 方法 结构 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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