[发明专利]一种通孔电沉积制备锡纳米线的方法有效
| 申请号： | 201811056386.2 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN108977856B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 刘志权;孟智超;吴迪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C25D1/00 | 分类号： | C25D1/00;C25D1/20;C25D3/32;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直流电沉积制备锡纳米线的方法，属于电子材料领域。该方法首先以纳米多孔聚碳酸酯膜或阳极氧化铝膜(AAO)为模板，通过磁控溅射的方法在模板底部溅射银种子层，并在通孔底端以铜为底板，然后采用直流电镀方式从种子层底端向通孔内填充锡纳米线。本发明提出的直流电沉积填充方法可以获得组织性能稳定、高导电导热性、可塑性高等特点的锡纳米线。锡作为传统焊料的主要成分，其纳米形态的材料同样具有低成本、低熔点、良好的焊接能力和机械性能，以及与金属基体优异的润湿性，适用于自组装纳米结构之间的有效连接和互连，实现具有热功能和电功能的有效纳米级互连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通孔电 沉积 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直流电沉积制备锡纳米线的方法，其特征在于：该方法是采用直流电沉积法，在多孔模板的纳米级孔洞中制备出锡纳米线；制备过程中通过控制电流大小和/或沉积时间来控制纳米线的长度。
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