[发明专利]通过DC偏压调制的颗粒产生抑制器在审
| 申请号： | 201811056805.2 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN108922844A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 白宗薰;S·朴;陈兴隆;D·卢博米尔斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/44;C23C16/503;C23C16/509;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC偏压电压，以最小化该通电的顶部电极与等离子体之间的电位差和/或该接地的底部电极与等离子体之间的电位差。最小化等离子体与电极之间的电位差减少颗粒产生，因为减小了这些电极的鞘区域中的离子的加速，且最小化离子与这些电极上的保护性涂覆层的碰撞力。因此，减少了基板表面上的颗粒产生。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 顶部电极 电位差 底部电极 电极 最小化 通电 接地 离子 处理腔室 基板表面 膜沉积 碰撞力 涂覆层 抑制器 减小 调制 平行 施加 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基板的设备，包括：等离子体腔室；盖组件，设置在所述等离子体腔室上方，所述盖组件包括顶部电极和底部电极，所述底部电极定位成与所述顶部电极基本上平行；基板支撑件，设置在所述等离子体腔室内，所述基板支撑件具有基板支撑表面；以及气体分配板，设置在所述基板支撑件与所述盖组件之间，其中，所述顶部电极与射频(RF)电源和DC偏压调制配置电通信，并且所述DC偏压调制配置被配置成在工艺期间以恒定为零的DC偏压电压操作所述顶部电极。
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