[发明专利]处理被加工物的方法

摘要

本发明提供在调整掩模的开口宽度的基础上，对于等离子体蚀刻提供更牢固的掩模的方法。在一个实施方式的方法中，在被加工物上形成钨膜。被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模。钨膜包括沿着划分出开口的掩模的侧壁面延伸的第1区域和在基底膜上延伸的第2区域。接着，以保留第1区域的方式执行钨膜的等离子体蚀刻。在钨膜的形成中，对被加工物提供含有钨的前体气体。并且，为了对被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体。

主权项

1.一种处理被加工物的方法，其特征在于：所述被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模，该掩模提供开口，所述方法包括：在所述被加工物上形成钨膜的步骤，该钨膜包括沿着划分出所述开口的所述掩模的侧壁面延伸的第1区域和在所述基底膜上延伸的第2区域；和以保留所述第1区域除去所述第2区域的方式执行所述钨膜的等离子体蚀刻的步骤，所述形成钨膜的步骤包括：为了在所述被加工物上沉积含钨的前体，而向所述被加工物供给含钨的前体气体的步骤；和为了向所述被加工物上的所述前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤。