[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811062244.7 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109585557A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 柳川洋 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;张昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其简化了制造工艺，同时减小了第一MOS晶体管区域和第二MOS晶体管区域之间的分离的宽度。第一MOS晶体管和第二MOS晶体管配置双向开关。第一MOS晶体管和第二MOS晶体管均具有垂直沟槽结构。第一杂质区域邻接在第一MOS晶体管区域外的第一MOS晶体管元件的第一栅极沟槽的侧壁上，并且电耦合至第一源极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 垂直沟槽 双向开关 源极区域 杂质区域 栅极沟槽 制造工艺 电耦合 邻接 侧壁 减小 制造 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有双向开关，所述半导体器件包括：半导体衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且具有从所述第一表面朝向所述第二表面延伸的第一栅极沟槽；第一晶体管元件，包括位于所述第二表面中的第一导电类型的第一漏极区域、位于所述第一表面中的所述第一导电类型的第一源极区域、以及位于所述第一栅极沟槽内的第一栅电极，并且被包括在所述双向开关中；以及第二导电类型的第一杂质区域，所述第一杂质区域在用于所述第一晶体管元件的区域外邻接在所述第一栅极沟槽的侧壁上，并且电耦合至所述第一源极区域。
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