[发明专利]介电薄膜的形成方法在审
| 申请号： | 201811062992.5 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110896050A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 储江 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;C23C16/32;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种介电薄膜的形成方法，包括：将前驱体‑A注入置有待处理元件的反应腔室，在待处理元件表面吸附形成单分子层；清洗气体清洗去除待处理元件表面未吸附的前驱体‑A；将前驱体‑B在反应腔室外形成等离子体后注入腔室，与前驱体‑A反应形成介电薄膜；清洗气体清洗去除未反应的前驱体‑B及反应副产物；以预定次数重复循环步骤a‑d至薄膜达到预定厚度。使用本发明提供的方法形成的介电薄膜具有较低的介电常数，其形成的层间介电层能够有效的降低电阻‑电容延迟，使设备具有更佳的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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