[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 201811063125.3 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109585528A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 林祐宽;杨昌达;王屏薇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置结构，其包括一半导体基底，具有一阱拾取区及一主动区。阱拾取区及主动区各自包括具有不同导电型的一第一阱区及一第二阱区。第一阱区与第二阱区之间具有阱区边界。一第一鳍部结构位于阱拾取区的第一阱区内，而多个第二鳍部结构位于主动区的第一阱区内。阱区边界与第一鳍部结构之间的最小距离大于阱区边界与多个第二鳍部结构中最靠近阱区边界的一者之间的最小距离。 | ||
| 搜索关键词： | 阱区 鳍部结构 阱拾取区 主动区 半导体装置结构 最小距离 半导体基底 导电型 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构，包括︰一半导体基底，具有一阱拾取区及一主动区，其中该阱拾取区及该主动区内各自包括具有一第一导电型的一第一阱区及具有相反的一第二导电型的一第二阱区邻近于该第一阱区，使一阱区边界位于该第一阱区与该第二个阱区之间；一第一鳍部结构，位于该阱拾取区的该第一阱区内；以及多个第二鳍部结构，位于该主动区的该第一阱区内；其中该第一鳍部结构与该阱区边界隔开一第一距离，该多个第二鳍部结构中最靠近该阱区边界的一者与该阱区边界隔开一第二距离，而该第一距离大于该第二距离。
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