[发明专利]铸造类单晶制备方法在审
| 申请号： | 201811064511.4 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109161965A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 汪沛渊;张涛;白枭龙;欧子杨;晏文勇;李省平;刘文婷;邓清香;金浩 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铸造类单晶制备方法。上述铸造类单晶制备方法，制备时，先在坩埚底部均匀铺设一层含磷的掺杂剂，以形成掺杂剂层；然后在所述掺杂剂层上铺设一层类单晶籽晶，以形成引晶层，再将硅料和母合金依次填入所述坩埚内；最后将坩埚加热至预设温度，以使所述类单晶籽晶部分熔化，在熔化和长晶过程中，控制坩埚的温度，使引晶层的类单晶籽晶部分熔化，其中，在长晶过程中，坩埚底部的掺杂剂中的磷通过扩散进入长晶过程中底部已经长好的晶体中，拉低了铸造类单晶尾部的电阻率，使得铸造N型类铸造类单晶中的头部和尾部电阻率偏差不大，头尾电阻率分布更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 铸造 熔化 单晶制备 单晶籽晶 掺杂剂层 掺杂剂 电阻率 单晶 引晶 电阻率分布 均匀铺设 母合金 硅料 填入 预设 制备 加热 铺设 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种铸造类单晶制备方法，其特征在于，包括：在坩埚底部铺设一层含磷的掺杂剂，以形成一掺杂剂层；在所述掺杂剂层上铺设一层类单晶籽晶，以形成一引晶层；将硅料和母合金依次填入所述坩埚内；将坩埚加热至预设温度，以使所述类单晶籽晶部分熔化。
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