[发明专利]高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811064886.0 申请日: 2018-09-13
公开(公告)号: CN109348694B 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 苗苗;刘瑞婷;施利毅;冯欣;曹绍梅 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜及其制备方法,通过聚多巴胺的粘附作用将银纳米线负载在纳米纤维素上,获得高导电性聚多巴胺改性纳米纤维素导电纤维,首次通过导电纤维辅助插层作用实现对二维Ti3C2的片层剥离,提高插层率和层间距,获得单层或2‑10层的少层的Ti3C2MXene纳米片,同时一维导电纤维与二维纳米片通过正负电荷的静电作用和氢键作用自组装成三维“砖‑泥”结构导电网络,最后通过高压压滤法一步合成柔性电磁屏蔽薄膜。本发明制备的柔性自支撑薄膜对电磁波屏蔽效果显著,且具有机械强度高、弯折柔韧性好、合成工艺简单的特点,可满足实际应用中柔性电子的具体要求。
搜索关键词: 强度 柔性 支撑 电磁 屏蔽 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜,其特征在于:利用聚多巴胺PDA的粘附作用将银纳米线AgNWs负载在纳米纤维素NFC上,获得形式为AgNWs@PDA‑NFC的聚多巴胺改性导电纤维;并通过导电纤维协同插层作用,使块状Ti3C2中的片层进行剥离,增大Ti3C2的插层率和薄层间距,获得单层或2‑10层的少层的Ti3C2MXene纳米片;最后通过正负电荷的静电作用和氢键作用,将一维的AgNWs@PDA‑NFC导电纤维素与二维的Ti3C2MXene纳米片构筑形成三维的具有“砖‑泥”结构形式导电网络,通过压滤法,进行一步法组装,形成柔性电磁屏蔽薄膜。
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