[发明专利]用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构

摘要

本发明公开了集成电路领域内一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构，包括P型衬底，P型衬底上层设有深N阱，深N阱上层从一侧到另一侧依次设有第一N阱、第一P阱、第二N阱和第二P阱，第一N阱上层设有P+注入区，第一P阱上层设有浅槽隔离区，第二P阱上层设有N+注入区，P+注入区引出有阳极，N+注入区引出有阴极。本发明的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构，通过位于中间区域的第一P阱的阻挡电流，使SCR电流路径变窄，同时延长电流路径，提高了维持电压。

主权项

1.一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构，包括P型衬底，其特征在于：所述P型衬底上层设有深N阱，所述深N阱上层从一侧到另一侧依次设有第一N阱、第一P阱、第二N阱和第二P阱，所述第一N阱上层设有P+注入区，所述第一P阱上层设有浅槽隔离区，所述第二P阱上层设有N+注入区，所述P+注入区引出有阳极，所述N+注入区引出有阴极。